深硅刻蝕機
- 制造廠商：北方華創
- 購置日期：暫無信息
- 型號：DSE200
- 生產國別：中國
- 儀器類別：工藝實驗設備
- 安放地址：江蘇省
跨區域科技政策：
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- 儀器詳情
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DSE?200設備是針對硅功率器件開發的專用刻蝕設備，主要用于8英寸及以下IGBT、MOSFET及Super?Junction中的Deep?Trench刻蝕。不同于MEMS工藝的深硅刻蝕，DSE?200設備針對的是單步平滑刻蝕工藝，保證功率器件的電壓性能。DSE?200設備針對研發/中試線/量產領域可以靈活配置平臺方式。
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中心/邊沿獨立MFC設計，保證8寸及以下工藝均勻性。 采用大抽速分子泵，工藝窗口更寬。 獨特設計的氣體比例控制，可以實現刻蝕角度80°-90°可調。 配置低頻偏壓，可實現高達25：1的單步平滑硅刻蝕工藝。 腔室可加熱至120℃，配備優化的Dryclean制程，保證腔室環境穩定。 提供多種新工藝開發及解決方案。 軟件具有安全方便的權限管理，人性化的操作界面和完善的日志記錄功能，支持工廠自動化（FA）。
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電子與通信技術
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DSE?200設備是針對硅功率器件開發的專用刻蝕設備，主要用于8英寸及以下IGBT、MOSFET及Super?Junction中的Deep?Trench刻蝕。
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暫無
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面議
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暫無信息
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江蘇物聯網研究發展中心
機構介紹: 為落實溫家寶總理關于建設“感知中國中心”重要指示，2009年11月12日，中國科學院、江蘇省人民政府、無錫市人民政府簽署共建中國物聯網研究發展中心（籌）三方協議。2009年12月30日，江蘇省批復成立江蘇物聯網研究發展中心(以下簡稱：物聯網中心)作為中國物聯網研究發展中心（籌）的建設載體。2010年10月8日，中國科學院批復成立中國科學院物聯網研究發展中心，作為中國科學院在物聯網領域的總體單位，負責中國物聯網研究發展中心（籌）的建設。
資質能力：
